Natisni stran

Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIRLZ34NPBF
Številka naročila8651396
Znano tudi kotSP001553290
tehnični podatkovni list
728 Na Zalogi
2.000 Izdelek na zalogi lahko rezervirate že zdaj.
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
Količina | |
---|---|
1+ | € 1,200 |
10+ | € 0,854 |
100+ | € 0,655 |
500+ | € 0,550 |
1000+ | € 0,452 |
5000+ | € 0,406 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 1,20 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIRLZ34NPBF
Številka naročila8651396
Znano tudi kotSP001553290
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id27A
Drain Source On State Resistance0.035ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation56W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
The IRLZ34NPBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Dynamic dv/dt rating
- Fully avalanche rated
- Logic-level gate drive
- Advanced process technology
Področja uporabe
Power Management
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
27A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
56W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.035ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehnični dokumenti (3)
Alternative za IRLZ34NPBF
1 najden izdelek
Povezani izdelki
1 najden izdelek
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.002676